A finales de agosto, Micron consiguió ponerse a la cabeza tecnológica al anunciar memoria de 232 capas, al menos sobre el papel, pero ahora la compañía ya ha sido superada: SK Hynix presume de su tecnología 3D-NAND con 238 capas. La producción en masa está programada para comenzar en la primera mitad de 2023; Como de costumbre, la velocidad aumenta mientras que el espacio y el consumo de energía disminuyen.

La empresa china Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC) ofrece flash NAND con el nombre X3-9070, pero no menciona el número de capas. En la nueva versión, el YMTC utiliza un diseño de seis aviones, lo que aumenta la velocidad, pero también aumenta los requisitos de espacio: cuatro aviones eran populares hasta ahora. La velocidad de la interfaz aumenta de 1600 a 2400 Mbps, lo que también contribuye al aumento de la velocidad.

Kioxia, la antigua división de memoria de Toshiba, habló sobre la segunda versión de la memoria flash ultrarrápida. Mientras que la versión 1 de XL-Flash todavía usa celdas con una capacidad de almacenamiento de 1 bit, la versión 2 usa 2 bits por celda. Como memoria de clase de almacenamiento (SCM), XL Flash es una alternativa barata, aunque más lenta, a DRAM. Actualmente se dice que morirá por el almacenamiento de 256 GB, Kioxia planea la producción en masa el próximo año.

CXL en lugar de Optane

Intel presentó la alternativa flash Optane, que también se usa como SCM, en Flash Memory Summit 2018. Poco antes del evento de este año, el CEO de Intel, Pat Gelsinger, enterró la tecnología. Intel ahora se basa completamente en CXL y Compute Express Link, una tecnología que vincula DRAM o memoria rápida y no volátil como Flash XL a través de PCIe.

En línea con esto, SK Hynix presentó un módulo de memoria que utiliza CXL 2.0 para proporcionar hasta 96 GB de RAM DDR5 rápida. Está alojado en una carcasa EDSFF (Enterprise SSD Form Factor and Data Center) y, por lo tanto, puede procesarse a través de adaptadores PCIe. Pero el próximo lanzamiento de CXL ya está en los bloques de inicio: El Consorcio CXL ha publicado la especificación CXL 3.0. Esto debería mejorar la compartición y consolidación de clústeres de almacenamiento y, sobre todo, duplicar la tasa de datos a 64 GT/s sin aumentar la latencia.

Discos SSD sin FTL

Kioxia quiere simplificar radicalmente los SSD. La capa de traducción flash (FTL), es decir, la conversión entre direcciones lógicas y físicas, debe eliminarse del SSD; El programa anfitrión debería hacer el trabajo. Kioxia ya está trabajando en esto con Linux Foundation, que tiene material sobre este tema en softwareenabledflash.org Recogido. Los SSD aún deben realizar algunas tareas básicas, como la recolección de basura. Este concepto recuerda al almacenamiento por zonas y solo es importante para los centros de datos con grandes requisitos de almacenamiento.

Unidades de estado sólido (SSD) para clientes y servidores

El fabricante de SSD Solidigm, que surgió de la división de almacenamiento de Intel, está mostrando el SSD P412 Plus: PCIe 4.0 sin DRAM, flash QLC, 512 GB, 1 y 2 TB de almacenamiento, probablemente derivado del Intel SSD 670p.

Los SSD de Seagate Nytro 5350 y 5550 son mucho más rápidos y, sobre todo, tienen más aguante. El primer controlador empresarial X1 de Phison, anteriormente el E20, se utiliza en SSD de 2,5″ con conectividad U.2 y PCIe 4.0. Los SSD están disponibles con una capacidad de almacenamiento de hasta 7,68 TB, y los modelos 5350 tienen mucha más memoria libre, por lo que pueden reemplazarse con múltiplos de su capacidad diariamente.

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(LL)